ભારતીય સંશોધકોએ ગરમીને વીજળીમાં રૂપાંતરિત કરવાની ટેકનિકમાં નવી પ્રગતિ કરી છે. ટીમે સ્કેન્ડિયમ નાઇટ્રાઇડની અત્યંત પાતળી પરતમાં મેગ્નેશિયમ ઉમેરીને નવું મટિરિયલ તૈયાર કર્યું, જેનું પરીક્ષણ આશરે 200 નૅનોમીટર જાડી પરત પર કરવામાં આવ્યું અને ઓરડાના તાપમાને અપેક્ષા કરતાં અનેકગણું વધુ વોલ્ટેજ નોંધાયું.
આ ટેકનિકનો આધાર સીબેક ઇફેક્ટ છે. તેમાં ધાતુ અથવા સેમિકન્ડક્ટરના એક ભાગને ગરમ અને બીજા ભાગને ઠંડો કરવામાં આવે ત્યારે બંને વચ્ચે વિદ્યુત વોલ્ટેજ ઉત્પન્ન થાય છે.
અત્યાર સુધી ઘન મટિરિયલમાં આ અસરથી મર્યાદિત માત્રામાં વીજળી ઉત્પન્ન થતી હોવાનું માનવામાં આવતું હતું. વધુ આઉટપુટ માટે લિક્વિડ ઇલેક્ટ્રોલાઇટ્સ અથવા જેલ જેવા મટિરિયલનો ઉપયોગ કરવામાં આવતો હતો. નવી રિસર્ચમાં ઘન ક્રિસ્ટલમાંથી પણ મજબૂત વિદ્યુત પ્રતિક્રિયા મેળવી શકાય હોવાનું સામે આવ્યું છે.
સંશોધકોએ સ્કેન્ડિયમ નાઇટ્રાઇડની પરતમાં અત્યંત નિયંત્રિત રીતે મેગ્નેશિયમ ઉમેર્યું. તેનાથી મટિરિયલની આંતરિક રચનામાં પોઝિટિવ અને નેગેટિવ ચાર્જના વિતરણમાં ફેરફાર થયો.
ટેસ્ટિંગ દરમિયાન સામે આવ્યું કે પરતની જાડાઈ ઓછી કરતાં વીજળી ઉત્પન્ન કરવાની ક્ષમતા વધતી ગઈ. આશરે 200 નૅનોમીટર જાડી પરતમાં ઓરડાના તાપમાને અપેક્ષા કરતાં અનેકગણું વધુ વોલ્ટેજ નોંધાયું.
રિસર્ચ ટીમે આ ટેકનિકના આધારે પ્રારંભિક લાઇટ સેન્સર પણ તૈયાર કર્યું છે. આ સેન્સર પર લેસર લાઇટ પડતાં ઝડપી વોલ્ટેજ પ્રતિક્રિયા જોવા મળી.
ભવિષ્યમાં આ ટેકનિકનો ઉપયોગ અત્યંત સંવેદનશીલ લાઇટ સેન્સર, હીટ ડિટેક્ટર અને ક્વોન્ટમ ડિવાઇસમાં થઈ શકે છે. ભારતીય વૈજ્ઞાનિકોની ટીમે આ શોધ માટે પેટન્ટ પણ ફાઇલ કર્યું છે.
